(반도체) 염승환 반도체 함께 배우기 _ EUV 공정 완전정복(EUV 펠리클, EUV PR)

! 영상링크

 

https://www.youtube.com/watch?v=gEiXYA3OQaE&list=PLqpgv5OuV7fplk9aBbECauz1YLLVymqHh&index=16

 

! 내용요약

 

 

 

 

EUV는 파장이 굉장히 짧다

 

DUV는 일직선인데 EUV는 여러번 반사되서 적용

 

EUV는 소재에 흡수되려고 해서 거울로 계속 반사시켜줘야한다

 

 

 

반도체를 미세화 시킬수록 EUV장비가 필요하다

 

 

 

 

 

 

 

 

아래는 물을 쓴건데 공기를 쓰는 것보다 물을 쓰면 깊게 들어간다 해상도가 더 좋아짐

 

 

두번하면 k값이 낮아지는데 공정을 여러번하면 원가부담이 생김 이걸 해결할 수 있는 것이 EUV

 

 

더블패터닝까지는 ArF가 더 경제적임

 

EUV는 수율 문제가 있다

 

 

콜렉터는 렌즈를 의미함

 

Radical은 해결사로 생각하면 됨

 

 

 

 

포토공정은 빛 쏴서 그림을 그리는 건데 광자가 적으니 균일한 패턴을 얻기 어렵다

 

도화지를 예전 것을 쓰면 그림을 그대로 그리지 못한다

 

 

도화지를 무기물 PR소재를 씀

 

 

거울보단 마스크에 결함이 생기면 크리티컬함

 

 

마스크에 위로 볼록하게 생기면 결함입자를 고칠수 있지만 pit  처럼 아래에 생긴 결함은 고칠 수 없음

 

 

 

 

오염물질이 있으면 오염물질 위에서 반사되어서 경로가 바뀜

 

 

EUV는 펠리클을 만들기 매우 어렵다 빛 손실이 더 커서

 

 

 

High NA EUV는 렌즈 크기를 키운 것

 

 

 

EUV 더블패터닝을 하면 돈이 많이 드는데 이걸 하지않고 더

 

축소하여 노광을 진행할 수 있도록 AMT가 Sculpta patterning장비를 개발함

 

 

 

 

 

피에스케이 유기물 없애는 장비도 세계1등, 하지만 무기물 장비도 개발하여 공급 중